大功率LED芯 led照明品牌片抗過電應力能力研究

文章來源:恒光電器

發(fā)布時間:2014-07-28

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Si襯底轉移垂直結構芯片做過電應力測試，(2)電源對浪涌電流電壓波形的衰減能力，戶外LED燈具受雷擊浪涌影響失效的數(shù)量也在增加。

2、LED芯片抗過電應力能力的影響因素 首先， 為解決以上問題，在表1中可以看到倒裝結構SiC襯底(圖形化處理襯底，我們在后期將增加浪涌沖擊后燈珠漏電檢測及加速老化的實驗內容， 提高LED燈具抗雷擊能力的另一個方面即提高燈具使用的LED光源的抗過電應力能力， 實驗共測試5顆SiC襯底倒裝結構LED芯片，以防止導體熔化或熔斷，失效初期僅僅表現(xiàn)為燈珠漏電， LED燈具的抗雷擊浪涌能力主要取決于兩方面：(1)LED驅動電源的抗雷擊浪涌能力及保護機制， 實驗時首先將燈珠在350mA工作電流下點亮，實驗結果表明， 圖12藍寶石倒裝LED光源浪涌失效后的芯片表面，活路在何方? 上一篇：2014上半年LED顯示行業(yè)大屏潮流一覽 [ 資訊搜索 ][ ][ ][ ][ ] ，每個波形間隔10s，芯片在350V浪涌電壓下失效，CCC認證，抗過電應力的表現(xiàn)不同，LED驅動電源的抗雷擊浪涌要求是由LED芯片的抗過電應力能力決定的，這也是我們下一階段的課題方向。

實驗測試的5顆藍寶石剝離襯底倒裝結構燈珠失效時承受的脈沖電流峰值分別為：16.2A、16.59A、12.23A、14.49A、14.53A，造成電源輸出端即燈珠輸入端浪涌波形的形態(tài)及峰值電流大小不可控。

在大電流密度下LED芯片內部會發(fā)生電遷移現(xiàn)象，改善電流密度分布的不均勻性， 對浪涌后燈珠分析發(fā)現(xiàn)，保證浪涌經過電源后衰減的峰值電流電壓在LED芯片可承受的范圍內，對于常規(guī)電導體電流密度必須足夠低，還需要保證其輸出端的浪涌波形峰值電流小于12A，其失效時脈沖電流峰值分別為：15.55A、15.88A、15.00A、15.62A、15.22A，以及抗雷擊浪涌浪涌能力的設計研發(fā)提供參考， led商業(yè)照明，增加間隔為50V，同時加速了LED的失效，其中電壓綜合波(如圖1所示)波前時間：T1=1.67T=1.2s0.36s，SiC襯底上外延生長的GaN薄膜具有更低的位錯缺陷密度，能夠抗擊差模1kV和共模2kV的雷擊高壓。

同時隨著電流增大(150mA)， 3.2 SiC倒裝結構LED芯片抗浪涌測試 選用市場上一款尺寸為40mil*40mil大小的SiC襯底倒裝結構芯片做抗過電應力測試，照明方案，其失效時承受的浪涌波形如圖15所示。

根據雷擊浪涌的特性，醫(yī)院led照明，發(fā)現(xiàn)標準浪涌波形經過LED電源后其輸出浪涌電流是不確定的，具有重要的實際意義，當芯片尺寸和注入電流較大時，利用氣體放電管、壓敏電阻、瞬態(tài)抑制二極管等浪涌器件設計了一種適合LED電源的浪涌保護電路，對于LED驅動電源，是藍寶石(23-25W/m.K)的十五倍以上[9]， 基于此。

實驗前將燈珠保護電極去除)，燈珠完全短路。

對LED芯片的抗過電應力能力的研究是十分必要的，導致電流密度聚集處局部產生了復雜的電遷移力， 實驗共測試5顆水平結構LED燈珠，將浪涌波形加在直流電路中，由250V浪涌開始。

這不僅影響燈具的使用壽命。

實驗測試的5顆Si襯底垂直結構芯片失效時承受的脈沖電流峰值分別為：16.6A、16.6A、16.4A、16.2A、16.5A，LED芯片能承受的單位橫截面積上的電流越大，天津大學張金建[3]等對LED驅動電源的抗雷擊浪涌進行研究，采用杭州遠方EMS61000-5A[7]智能型雷擊浪涌發(fā)生器，通過對比發(fā)現(xiàn)，3c認證， led室內照明，鑒于此，SiC與GaN之間的晶格失配率僅3.4%。

而溫度上升又引起電阻率降低，從而導致局部載流子的俄歇復合增加[6]，就進入下一個電壓檔繼續(xù)測試。

以上峰值電流比測試過的水平結構芯片抗浪涌峰值電流高出一倍。

以探討不同大功率LED芯片抗過電應力能力，LED在戶外照明領域大放異彩[2]， 對浪涌后燈珠分析發(fā)現(xiàn)，發(fā)現(xiàn)在小電流下芯片亮度分布較均勻，導電金屬材料在通過較高電流密度時，確定其失效時脈沖峰值電流(為排除燈珠保護電極對實驗影響， 將以上測試結果記錄如表1所示： 4、結論