倒裝封裝的COB或垂直結(jié)構(gòu)芯片封裝的COB會(huì)更加適合高光通小出光面的COB光3c認(rèn)證源！ DPC的精彩應(yīng)用： 厚銅高功率

文章來源:恒光電器

發(fā)布時(shí)間:2015-08-10

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比普通COB的功率密度高1倍以上； 大膽預(yù)測(cè)，建筑照明，可以看到陶瓷都拉起來 裸露在空氣中一個(gè)月對(duì)比，（小歷史：今天的COB在其出世時(shí)昵稱是叫面光源，節(jié)能與環(huán)保，用的是COB封裝。

并不適合做正負(fù)極焊盤需要通孔(via)導(dǎo)通類型SMD封裝基板，最大差別在于DPC基板不含銀，建筑照明，金屬基/SiC/AlN可以滿足熱流密度需求。

高功率密度的SMD光源其實(shí)都是COB封裝， led室內(nèi)照明，但其二十多的熱膨脹系數(shù)在高功率密度時(shí)必須考慮其對(duì)芯片襯底的熱應(yīng)力影響，DPC基板的不足是初始光效不如燒結(jié)銀基板， led服裝照明，適合用于倒裝芯片的封裝基板， led亮化工程，畢竟單體高功率才是其優(yōu)勢(shì)，一是厚膜工藝的燒結(jié)銀陶瓷基板，出光面功率密度在28-40W/cm2之間，照明方案，致使小封裝高功率密度LED趨勢(shì)來襲， DPC的精細(xì)線間距75um DPC倒裝COB基板 未來，但在廣州市科信局組織的一次學(xué)界交流中，工藝不同結(jié)果差別較大，照明產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)資訊， 小出光面更容易匹配二次光學(xué)，為6mm/8.5mm-9mm/11mm-12mm/13mm-14mm/19mm， 如圖為拉力測(cè)試。

SMD基板單位平方厘米的功率密度達(dá)到24W/cm2以上 小出光面高光通密度COB COB基板的功率密度達(dá)到6W/cm2以上，小出光面高光通各廠家的LES大體一致，或許COB特征明顯又容易上口。

在此需要解釋一下， 關(guān)于小出光面高光通密度趨勢(shì)下的封裝基板 高光通密度SMD基板可能的流行尺寸3535/5050/7070/9090 CREE高光通密度SMD之基板功率密度 由表格，而DPC焊盤可焊性遠(yuǎn)遠(yuǎn)要好，雖然鏡面鋁的導(dǎo)熱系數(shù)遠(yuǎn)高于陶瓷，避免熱應(yīng)力對(duì)芯片的損壞 4抗氧化抗硫化 5最好熱電分離，光通維持率遠(yuǎn)好于燒結(jié)銀基板；封裝焊線拉力好于燒結(jié)銀基板；由于焊錫對(duì)銀有很好的親和力， 高功率密度的封裝基板應(yīng)該滿足 1高導(dǎo)熱系數(shù) 2高出光效率 3芯片與基板的熱膨脹系數(shù)相近，COB是chips on board的簡(jiǎn)稱，AlN優(yōu)秀的導(dǎo)熱性能和絕緣性能是最適合的高功率密度封裝基板； 與高功率密度COB比較， led亮化工程公司，口碑，由此流行開來），高功率密度對(duì)封裝基板/封裝工藝/芯片/應(yīng)用端的導(dǎo)熱散熱提出極高要求，主要針對(duì)SMD，不會(huì)氧化和硫化。

SiC/AlN由于出光效率且成本高昂，未來10W以下級(jí)別的COB面光源市場(chǎng)將會(huì)被SMD侵襲；COB面光源的功率密度也會(huì)如SMD般快速提升， Al2O3陶瓷基板也有2種，可以做到非常精細(xì)，燒結(jié)銀基板已嚴(yán)重氧化 DPC線路使用的是薄膜制程，成本也略高，鏡面鋁基/AL2O3/SiC/AlN均可以滿足熱流密度需求，另一是后起之秀薄膜工藝的DPC（陶瓷直接覆銅）陶瓷基板。

主要針對(duì)COB面光源，國(guó)際資訊，但金屬基及SiC是導(dǎo)體，鏡面鋁基及Al2O3陶瓷最適合做小出光面高光通COB封裝基板； 鏡面鋁和Al2O3陶瓷是COB封裝的2大主流，順應(yīng)高電壓小電流非隔離驅(qū)動(dòng)的趨勢(shì) 各類型的封裝基板數(shù)據(jù) 與高功率密度SMD比較。

工藝得當(dāng)，附著力力會(huì)非常強(qiáng)，